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DMG7401SFGQ-7 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 940mW (Ta)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 20V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2987pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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DMG7401SFGQ-7 Markenhersteller: Diodes Incorporated, Bonchip Aktie, DMG7401SFGQ-7 Referenzpreis. DMG7401SFGQ-7 Parameter, DMG7401SFGQ-7 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DMG7401SFGQ-7 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DMG7401SFGQ-7 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DMG7401SFGQ-7 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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