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DMG7N65SJ3 Technische Spezifikationen
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3, IPak, Short Leads |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-251 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 22 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251 |
DMG7N65SJ3 Unterlagen
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Datenblätter
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Andere schließen ein "DMG7N" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'DMG7N'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
DMG7N65SCT | Diodes Incorporated | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2680 |
DMG7N65SCTI | Diodes Incorporated | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2545 |
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DMG7N65SJ3 Markenhersteller: Diodes Incorporated, Bonchip Aktie, DMG7N65SJ3 Referenzpreis. DMG7N65SJ3 Parameter, DMG7N65SJ3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DMG7N65SJ3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DMG7N65SJ3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DMG7N65SJ3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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