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DMN3112S-7 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 5.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 268pF @ 5V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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DMN3112S-7 Markenhersteller: Diodes Incorporated, Bonchip Aktie, DMN3112S-7 Referenzpreis. DMN3112S-7 Parameter, DMN3112S-7 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DMN3112S-7 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DMN3112S-7 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DMN3112S-7 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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