DMN61D9UW-7 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.34A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 340mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-323
Power Dissipation (Max) 320mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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DMN6140L-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2324
DMN6140L-13 MOS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 2472
DMN6140L-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5286
DMN6140L-7 IC DIODEOS Spezialisierte heiße ICs 2414
DMN6140L-7 MOS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 3413
DMN6140LQ Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 93000
DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2503
DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 11323
DMN61D8L Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMN61D8L-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2777

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