DMN62D0UDW-7 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SOT-363
Power - Max 320mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DMN62D0LFB Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4699
DMN62D0LFB-7 MOS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 3392
DMN62D0LFB-7B Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 224153
DMN62D0LFD Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 234453
DMN62D0LFD-7 MOS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 198464
DMN62D0SFD Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3289
DMN62D0U-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 20507

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