DMN63D8LDWQ-7 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SOT-363
Power - Max 300mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA
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DMN6308LDW-7-F DIODES Spezialisierte heiße ICs 3000
DMN63D0LT-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 60293
DMN63D1L Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMN63D1L-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 140491
DMN63D1L-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 12808
DMN63D1LDW Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2635
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 13440
DMN63D1LDW-7-F Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 3000
DMN63D1LT Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000

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