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DMN65D8LFB-7 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package X1-DFN1006-3
Power Dissipation (Max) 430mW (Ta)
Package / Case 3-UFDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 260mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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DMN65D8L-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 20221
DMN65D8L-7 MOS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 3749
DMN65D8L-7 MOSFETIGBTIC DIDODES Spezialisierte heiße ICs 228379
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DMN65D8LFB-7 Markenhersteller: Diodes Incorporated, Bonchip Aktie, DMN65D8LFB-7 Referenzpreis. DMN65D8LFB-7 Parameter, DMN65D8LFB-7 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DMN65D8LFB-7 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DMN65D8LFB-7 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DMN65D8LFB-7 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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