DMN95H8D5HCTI Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Other Names DMN95H8D5HCTI-ND DMN95H8D5HCTIDI
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 950V 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ITO-220AB
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 950V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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DMN95H2D2HCTI Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2786
DMN95H8D5HCT Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2686

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