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DMP2008UFG-7 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 12A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6909pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 54A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DMP2002 POWERDI50 Spezialisierte heiße ICs 2500
DMP2002UPS PowerDI5060 Spezialisierte heiße ICs 10000
DMP2002UPS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10350
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DMP2003UPS MOS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 312
DMP2003UPS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2549
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