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DMT10H015LFG-13 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 10A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 42A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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DMT10H015LFG-13 Markenhersteller: Diodes Incorporated, Bonchip Aktie, DMT10H015LFG-13 Referenzpreis. DMT10H015LFG-13 Parameter, DMT10H015LFG-13 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DMT10H015LFG-13 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DMT10H015LFG-13 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DMT10H015LFG-13 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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