DMT10H025SSS-13 Technische Spezifikationen

MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DMT10H025SSS-13DITR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1544pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 7.4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.4nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Ta)
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