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DMT6010LFG-7 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2090pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 30A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10146
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5348
DMT6004SCT Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2657
DMT6004SPS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMT6004SPS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 16294
DMT6005LCT Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2563
DMT6005LFG-13 Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 9203
DMT6005LFG-7 Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 4354
DMT6005LPS Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 90000
DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2804

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