DP0150ALP4-7B Technische Spezifikationen

TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 450mW
Package / Case 3-XFDFN
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package X2-DFN1006-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 80MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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DP0150BDJ-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2585
DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 63094
DP0150BLP4-7B Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 10337

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