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DSS5160FDB-7 Technische Spezifikationen

TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 405mW
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 50mA, 1A
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type B)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 65MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DSS5140U Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 57000
DSS5140U-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 25238
DSS5140V-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 99070
DSS5160T DIODES Spezialisierte heiße ICs 12825
DSS5160T-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2621
DSS5160TQ-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 15238
DSS5160U-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3332
DSS5160V-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1876

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