ZXTP2008GTA Technische Spezifikationen

TRANS PNP 30V 5.5A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 3W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 500mA, 5.5A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 110MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
ZXTP2006E6TA Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3426
ZXTP2008ZQTA Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 13072
ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1473
ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3303
ZXTP2012A Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 20372
ZXTP2012ASTOA Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2593
ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 18345
ZXTP2012G ZETEX Spezialisierte heiße ICs 2699
ZXTP2012GTA Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1410
ZXTP2012GTA IC Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 5216

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