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EPC2032ENGRT Technische Spezifikationen

TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1530pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EPC200-CSP5 ESPROS Photonics AG Photodioden
EPC2001 EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2785
EPC2001C EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5487
EPC2007 EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2672
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EPC2012 EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2711
EPC2012C EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2759

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