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EPC2818 Technische Spezifikationen
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +6V, -5V |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
EPC2818 Unterlagen
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-
Datenblätter
EPC2818.pdf
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
EPC2801 | EPC | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2593 |
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