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EPC8009ENGR Technische Spezifikationen

TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 138 mOhm @ 500mA, 5V
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 32.5V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 65V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.38nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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EPC8004 EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2774
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