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IRF620STRL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF620 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 78054
IRF620 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 77933
IRF620 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2267
IRF620 SEC SEC Spezialisierte heiße ICs 1103
IRF6201PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2690
IRF6201TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 80413
IRF6201TRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF6201TRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 3400
IRF620A IR Spezialisierte heiße ICs 2671
IRF620B Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 695

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