IRF830L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF830L
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IRF830 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25384
IRF830 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2499
IRF830 IC IR Spezialisierte heiße ICs 949
IRF830 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 571
IRF830-HF MOS APEC Spezialisierte heiße ICs 88722
IRF8301MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF8302MTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2766
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