IRF840AL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF840AL
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1018pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK
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IRF840 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14355
IRF840 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1785
IRF840 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14244
IRF840 IC IR Spezialisierte heiße ICs 1555
IRF840/IRF840PBF IR Spezialisierte heiße ICs 2441
IRF840A Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2685
IRF840A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2584
IRF840AL Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2627
IRF840ALPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2910
IRF840ALPBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 496

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