IRF9630STRR Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 3.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 200V 6.5A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 74W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
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IRF960PBF IR Spezialisierte heiße ICs 2384
IRF9610 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10319
IRF9610 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2391
IRF9610L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2672
IRF9610L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2664
IRF9610PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2762
IRF9610PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2574
IRF9610PBF MOSFETIGBTIC IR Spezialisierte heiße ICs 1041
IRF9610S Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 553
IRF9610S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2755

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