IRFBC20S Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBC20S
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
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IRFBC20 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1336
IRFBC20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23413
IRFBC20 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 565
IRFBC20-030 IR Spezialisierte heiße ICs 2632
IRFBC20F /IR Spezialisierte heiße ICs 2774
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