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IRFBC30AL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBC30AL
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I2PAK
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFBC20 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1336
IRFBC20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23413
IRFBC20 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 565
IRFBC20-030 IR Spezialisierte heiße ICs 2632
IRFBC20F /IR Spezialisierte heiße ICs 2774
IRFBC20L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
IRFBC20L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2786
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IRFBC30AL Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, IRFBC30AL Referenzpreis. IRFBC30AL Parameter, IRFBC30AL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFBC30AL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFBC30AL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFBC30AL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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