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IRFBF30L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBF30L
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 900V 3.6A (Tc) Through Hole I2PAK
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IRFBF30L Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, IRFBF30L Referenzpreis. IRFBF30L Parameter, IRFBF30L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFBF30L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFBF30L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFBF30L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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