IRFR010PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 4.6A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFR010PBF
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 50V 8.2A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A (Tc)
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IRFR010 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 83785
IRFR010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 83785
IRFR010 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 1803
IRFR010-TF SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 6285
IRFR010N IR Spezialisierte heiße ICs 10
IRFR010PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1718
IRFR010PBF Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFR010TF FAI Spezialisierte heiße ICs 630
IRFR010TM TO-252 Spezialisierte heiße ICs 15350
IRFR010TR Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3168

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