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IRLU110 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 2.6A, 5V
Packaging Tube
Other Names *IRLU110
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Detailed Description N-Channel 100V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
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