SI1021R-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta)
Package / Case SC-75A
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SC-75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1021R-T1-GE3TR SI1021RT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
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SI1021R-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI1021R-T1-GE3 Referenzpreis. SI1021R-T1-GE3 Parameter, SI1021R-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1021R-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1021R-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1021R-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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