SI1036X-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 220mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 610mA (Ta)
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SI1036X-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI1036X-T1-GE3 Referenzpreis. SI1036X-T1-GE3 Parameter, SI1036X-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1036X-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1036X-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1036X-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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