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SI2312BDS-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI2312BDS-T1-GE3TR SI2312BDST1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 33 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
SI2312BDS-T1-GE3 Unterlagen
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-
Datenblätter
SI2312BDS-T1-GE3.pdf
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Die folgenden Teile umfassen 'SI231'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI2310 | Original | Spezialisierte heiße ICs | 8880399 |
SI2310 60v | KF | Spezialisierte heiße ICs | 360500 |
SI2310 CMN2310 | VB | Spezialisierte heiße ICs | 10000 |
SI2310-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3381 |
SI2310-TP | Micro Commercial Co | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SI2310/KF2310 | KEFAN | Spezialisierte heiße ICs | 120210 |
SI2310DS | VISAHY | Spezialisierte heiße ICs | 30000 |
SI2310DS-T1-E3 | VISHAY | Spezialisierte heiße ICs | 364 |
SI2310DS-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 30415 |
SI2310DS-T1-GE3 | VISHAY | Spezialisierte heiße ICs | 9350 |
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SI2312BDS-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI2312BDS-T1-GE3 Referenzpreis. SI2312BDS-T1-GE3 Parameter, SI2312BDS-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI2312BDS-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI2312BDS-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI2312BDS-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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