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SI3493BDV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1805pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI3493BDV-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43.5nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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SI3493BDV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 518500
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SI3493BDV-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI3493BDV-T1-GE3 Referenzpreis. SI3493BDV-T1-GE3 Parameter, SI3493BDV-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI3493BDV-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI3493BDV-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI3493BDV-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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