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SI4409DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 332pF @ 50V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description P-Channel 150V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI4409DY-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A (Tc)
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SI4409DY-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4409DY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4409DY-T1-GE3 Parameter, SI4409DY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4409DY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4409DY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4409DY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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