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SI4712DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SkyFET®, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1084pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 14.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4712DY-T1-GE3-ND SI4712DY-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.6A (Tc)
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SI4710-A-EVB Energy Micro (Silicon Labs) RF Evaluierungs- und Entwicklungskits, Platinen 2635
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SI4710-A01-GM SII Spezialisierte heiße ICs 2728
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SI4712DY-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4712DY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4712DY-T1-GE3 Parameter, SI4712DY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4712DY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4712DY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4712DY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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