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SI4830CDY-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Series LITTLE FOOT®
Power - Max 2.9W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4830CDY-T1-E3-ND SI4830CDY-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4830
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SI4830-A10-GU SILICON Spezialisierte heiße ICs 8500
SI4830-A10-GUR SILICON Spezialisierte heiße ICs 2986
SI4830-A20-GU Energy Micro (Silicon Labs) RF-Empfänger 3000
SI4830-A20-GU Silicon Labs RF-Empfänger
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SI4830-AOB-GU SILICON Spezialisierte heiße ICs 2577
SI4830ADY SI Spezialisierte heiße ICs 521
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SI4830CDY-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4830CDY-T1-E3 Referenzpreis. SI4830CDY-T1-E3 Parameter, SI4830CDY-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4830CDY-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4830CDY-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4830CDY-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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