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SI4967DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2W Surface Mount 8-SO
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI4967DY-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4967DY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4967DY-T1-GE3 Parameter, SI4967DY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4967DY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4967DY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4967DY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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