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SI5853DC-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5853DC-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI5853CD-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 11230
SI5853CDC VISHAY Spezialisierte heiße ICs 30000
SI5853CDC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32873
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SI5853DC-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI5853DC-T1-E3 Referenzpreis. SI5853DC-T1-E3 Parameter, SI5853DC-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI5853DC-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI5853DC-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI5853DC-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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