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SI6410DQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 7.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI6410DQ-T1-GE3TR SI6410DQT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
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SI6410DQ-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI6410DQ-T1-GE3 Referenzpreis. SI6410DQ-T1-GE3 Parameter, SI6410DQ-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI6410DQ-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI6410DQ-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI6410DQ-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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