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SI7129DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI7129DN-T1-GE3-ND SI7129DN-T1-GE3TR SI7129DNT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 27 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3345pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI7120ADN | SI | Spezialisierte heiße ICs | 696 |
SI7120ADN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 44668 |
SI7120ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 7956 |
SI7120ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SI7120DN-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2855 |
SI7120DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1469 |
SI7120DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SI7120DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1114 |
SI7120DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 4325 |
Si7121ADN | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 24583 |
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SI7129DN-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI7129DN-T1-GE3 Referenzpreis. SI7129DN-T1-GE3 Parameter, SI7129DN-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7129DN-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7129DN-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7129DN-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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