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SI7784DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI7784DP-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI7784DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1730
SI7788DP-T1-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 2537
SI7788DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4741
SI7788DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4741
SI7788DP-T1-GE3 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 1461

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SI7784DP-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI7784DP-T1-GE3 Referenzpreis. SI7784DP-T1-GE3 Parameter, SI7784DP-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7784DP-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7784DP-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7784DP-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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