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SI7942DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.4W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 5.9A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7942DP-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Base Part Number SI7942
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SI7942DP-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI7942DP-T1-GE3 Referenzpreis. SI7942DP-T1-GE3 Parameter, SI7942DP-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7942DP-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7942DP-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7942DP-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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