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SI8409DB-T1-E1 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.47W (Ta)
Package / Case 4-XFBGA, CSPBGA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 30V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 4-Microfoot
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI8409DB-T1-E1TR SI8409DBT1E1
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
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SI8400AA-B-IS Silicon Labs Digitale Isolatoren
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SI8409DB-T1-E1 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI8409DB-T1-E1 Referenzpreis. SI8409DB-T1-E1 Parameter, SI8409DB-T1-E1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI8409DB-T1-E1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI8409DB-T1-E1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI8409DB-T1-E1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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