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SI8469DB-T2-E1 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI8469DB-T2-E1CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±5V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Package / Case 4-UFBGA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Detailed Description P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount
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SI8469DB-T2-E1 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI8469DB-T2-E1 Referenzpreis. SI8469DB-T2-E1 Parameter, SI8469DB-T2-E1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI8469DB-T2-E1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI8469DB-T2-E1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI8469DB-T2-E1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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