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SIA106DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 12A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIA106DJ-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 10A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
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SIA106DJ-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIA106DJ-T1-GE3 Referenzpreis. SIA106DJ-T1-GE3 Parameter, SIA106DJ-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIA106DJ-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIA106DJ-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIA106DJ-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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