SIA411DJ-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA411DJ-T1-E3TR SIA411DJT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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