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SIE882DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6400pF @ 12.5V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 25V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
SIE882DF-T1-GE3 Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIE882DF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2666 |
SIE882DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SIE882DF-T1-GE3 |
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SIE882DF-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIE882DF-T1-GE3 Referenzpreis. SIE882DF-T1-GE3 Parameter, SIE882DF-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIE882DF-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIE882DF-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIE882DF-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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