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SIF912EDZ-T1-E3 Technische Spezifikationen
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.6W |
Package / Case | PowerPAK® 2x5 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® (2x5) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIF912EDZ-T1-E3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5) |
Base Part Number | SIF912E |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIF912EDZ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 34579 |
SIF912EDZ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays |
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SIF912EDZ-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIF912EDZ-T1-E3 Referenzpreis. SIF912EDZ-T1-E3 Parameter, SIF912EDZ-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIF912EDZ-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIF912EDZ-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIF912EDZ-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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