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SIHB16N50C-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 16A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
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SIHB16N50C-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHB16N50C-E3 Referenzpreis. SIHB16N50C-E3 Parameter, SIHB16N50C-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHB16N50C-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHB16N50C-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHB16N50C-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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