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SIHB33N60ET1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | E |
Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 16.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3508pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'SIHB3'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIHB30N60AEL-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2595 |
SIHB30N60E-E3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2697 |
SIHB30N60E-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 0 |
SIHB30N60E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 0 |
SIHB30N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2756 |
SIHB33N60E | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 831 |
SIHB33N60E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1732 |
SIHB33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1390 |
SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SIHB33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2770 |
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SIHB33N60ET1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHB33N60ET1-GE3 Referenzpreis. SIHB33N60ET1-GE3 Parameter, SIHB33N60ET1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHB33N60ET1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHB33N60ET1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHB33N60ET1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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