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SIHJ7N65E-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 598 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIHJ7N65E-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 7.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2575
SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren

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SIHJ7N65E-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHJ7N65E-T1-GE3 Referenzpreis. SIHJ7N65E-T1-GE3 Parameter, SIHJ7N65E-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHJ7N65E-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHJ7N65E-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHJ7N65E-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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