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SIHP4N80E-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.27 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 622pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP4N80E-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHP4N80E-GE3 Referenzpreis. SIHP4N80E-GE3 Parameter, SIHP4N80E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHP4N80E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHP4N80E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHP4N80E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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